Ваш город Пенза?

Оперативная память Kingston 8GB (KSM26SES8/8MR)

5.00
Официальная гарантия
производителя от 1 года
Топ-отзыв
5.0 (0)
Михаил

В две своих системы сразу взял обе плашки на 8 гб для адекватной работы и хорошей производительности и не прогадал. Баллы в вычислительной системе ощутимо выросли. В биосе сразу выставил в 3200 мгц, я очень удивился, да что там, в шоке был, что руками ничего поправлять не надо. Потому что 3200 хватит на все что надо, можно не экономить – на игры, загружаемость вкладок и программ, обработка видео и работа в фотошопе – для этого разгона вам хватит сполна. У меня микропроцессоры и я правда боялся, что они могут не принять, но все зря. После тестов выдал DDR4, утилиты не выдали непрошенных ошибок) Поэтому можно с точностью утверждать, что заявленным характеристикам производителя все соответствует.

Подробнее >
Коротко о товаре
  • · Высота: 30 мм
  • · Глубина: 3.7 мм
  • · Страна: Китай
  • · Ширина: 69.6 мм
  • · CAS Latency (CL): 19
  • · RAS to CAS Delay (tRCD): 19
  • · Row Precharge Delay (tRP): 19
  • · Буферизованная (Registered): Есть
Подробнее >

Отзывы (1)

Сортировать по: Дате Оценке Полезности

Фотографии и видео покупателей

М

10 ноября 2023

В две своих системы сразу взял обе плашки на 8 гб для адекватной работы и хорошей производительности и не прогадал. Баллы в вычислительной системе ощутимо выросли. В биосе сразу выставил в 3200 мгц, я очень удивился, да что там, в шоке был, что руками ничего поправлять не надо. Потому что 3200 хватит на все что надо, можно не экономить – на игры, загружаемость вкладок и программ, обработка видео и работа в фотошопе – для этого разгона вам хватит сполна. У меня микропроцессоры и я правда боялся, что они могут не принять, но все зря. После тестов выдал DDR4, утилиты не выдали непрошенных ошибок) Поэтому можно с точностью утверждать, что заявленным характеристикам производителя все соответствует.

Источник: eldorado.ru

Показать больше отзывов

Описание

Оперативная память Kingston 8GB (KSM26SES8/8MR) с форм-фактором SODIMM нужно устанавливать в соответствующий порт в компьютере. Буферизованная модель обеспечивает быстродействие при обработке запросов. Устройство с поддержкой ECC имеет пропускную способность 21300 Мбит/с. Оперативная память оснащена чипами с двусторонней компоновкой. Напряжение питания составляет 1,2 В.

Характеристики
Высота
30 мм
Глубина
3.7 мм
Страна
Китай
Ширина
69.6 мм
CAS Latency (CL)
19
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
Буферизованная (Registered)
Есть
Количество контактов
288
Количество модулей в комплекте
1
Количество ранков
1
Компоновка чипов
Двусторонняя
Напряжение питания
1.2 В
Общий объем памяти
8 ГБ
Объем памяти одного модуля
8 ГБ
Поддержка ECC
Есть
Пропускная способность
21300 Мбит/с
Стандарт памяти
PC4-21300 (DDR4 2666 МГц)
Тип памяти
DDR4
Тип поставки
Retail
Форм-фактор
SODIMM
Информация о технических характеристиках, комплекте поставки, стране изготовления и внешнем виде товара носит справочный характер.