Ваш город Пенза?

Оперативная память Kingston 2GB (KVR16LS11S6/2)

5.00
Официальная гарантия
производителя от 1 года
Топ-отзыв
5.0 (0)
Василий

Память как память, покупал в ускоренном варианте, так как нужна была прямо здесь и сейчас, как говорится. Очень сильно тормозил ноутбук, покупал к Леново, с материнской платой и процессором сдружилась, теперь работает значительно быстрее. Тайминги держит хорошо (11-11-11) при таком объеме прям достойно держат. Проверял на ошибки и обычной утилитой и встроенным в Windows диагностикой, все работает исправно. По разгону не пробовал и не собираюсь пробовать, так как файлы и страницы грузятся со скоростью света. Сейчас уже год использования, работает в штатном режиме, без синих экранов и прочих проблем.

Подробнее >
Коротко о товаре
  • · Высота: 30 мм
  • · Страна: Китай
  • · Ширина: 67.6 мм
  • · CAS Latency (CL): 11
  • · RAS to CAS Delay (tRCD): 11
  • · Row Precharge Delay (tRP): 11
  • · Количество контактов: 204
  • · Количество модулей в комплекте: 1
Подробнее >

Отзывы (1)

Сортировать по: Дате Оценке Полезности

Фотографии и видео покупателей

В

10 ноября 2023

Память как память, покупал в ускоренном варианте, так как нужна была прямо здесь и сейчас, как говорится. Очень сильно тормозил ноутбук, покупал к Леново, с материнской платой и процессором сдружилась, теперь работает значительно быстрее. Тайминги держит хорошо (11-11-11) при таком объеме прям достойно держат. Проверял на ошибки и обычной утилитой и встроенным в Windows диагностикой, все работает исправно. По разгону не пробовал и не собираюсь пробовать, так как файлы и страницы грузятся со скоростью света. Сейчас уже год использования, работает в штатном режиме, без синих экранов и прочих проблем.

Источник: eldorado.ru

Показать больше отзывов

Описание

Оперативная память Kingston 2GB (KVR16LS11S6/2) рассчитана для установки в соответствующий порт в компьютере. Модель типа DDR3 имеет форм-фактор SODIMM. Скорость передачи данных равна 12800 Мбит/с. Устройство с односторонней компоновкой чипов имеет 204 контакта. Напряжение питания достигает 1,35 В.

Характеристики
Высота
30 мм
Страна
Китай
Ширина
67.6 мм
CAS Latency (CL)
11
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Количество контактов
204
Количество модулей в комплекте
1
Количество ранков
1
Количество чипов каждого модуля
4
Компоновка чипов
Односторонняя
Напряжение питания
1.35 В
Общий объем памяти
2 ГБ
Объем памяти одного модуля
2 ГБ
Пропускная способность
12800 Мбит/с
Стандарт памяти
PC3-12800 (DDR3 1600 МГц)
Тип памяти
DDR3
Тип поставки
Retail
Форм-фактор
SODIMM
Информация о технических характеристиках, комплекте поставки, стране изготовления и внешнем виде товара носит справочный характер.